シーケンシャル読み出し最大7,450MB/s シーケンシャル書き込み最大6,900MB/s PCIe® 4.0 x4対応M.2 SSD「Samsung SSD 990 PRO」を12月23日（金）より販売
日本サムスン株式会社（本社: 東京都港区）の販売特約店であるITGマーケティング株式会社（本社: 東京都港区、代表取締役社長: 左京 恒夫）は、PCIe® 4.0 x4（以下「PCIe® 4.0」）に対応したM.2（2280）フォームファクタのNVMe™ SSD｢Samsung SSD 990 PRO」（以下「990 PRO」）の1TBおよび2TBモデルを2022年12月23日（金）より販売いたします｡
■製品特長
従来モデルに比べて大幅なスピードアップ
「990 PRO」は、最大7,450MB/sのシーケンシャル読み出し速度、最大6,900MB/sのシーケンシャル書き込み速度で*1、PCIe 4.0の最大パフォーマンスに近い速度を実現しています*2。
ランダムアクセス性能においては、従来モデル「980 PRO」よりも読み出し速度で40％、書き込み速度で55％高速化しており*3、ゲーム、動画や3D編集、データ分析などで効果を発揮します。
*1: パフォーマンスは、SSDのファームウェアバージョン、システムのハードウェア構成や環境設定などによって異なる場合があります。パフォーマンス測定値はIOmeter 1.1.0に基づいています。シーケンシャルおよびランダム書き込みのパフォーマンスは、Intelligent TurboWriteテクノロジーを有効にして測定しています。
*2: PCIe 4.0の理論上の最大シーケンシャル読み出し速度は8,000 MB/sです。2022年第3四半期の時点で「990 PRO」は7,450 MB/sに達しています。
*3: 2TBモデルの場合。
驚異的な電力効率
SSDは通常、パフォーマンスが高いほどより多くの電力を消費しますが、「990 PRO」は電力効率が高く、従来モデル「980 PRO」よりも1ワットあたりのパフォーマンスが50%以上向上しています*1。
この低電力設計により、最適な電力効率で最大のPCIe 4.0パフォーマンスが可能になります。
*1: 1ワットあたりのシーケンシャル読み出し/書き込み：980 PRO – 1,129/877 MB、990 PRO – 1,380/1,319 MB（1TB モデルの内部テスト結果に基づきます）
熱を超越するスピード
SSDのパフォーマンスを最大限発揮するには、熱制御が必要不可欠です。
「990 PRO」のニッケルコーティングされたコントローラと最先端の熱制御アルゴリズムが熱を管理し、揺るぎないパフォーマンスを実現します。
基板裏面のヒートスプレッダーラベルがNANDチップの熱を制御し、Dynamic Thermal Guard が温度を最適に保ちます。
高速ロードで究極のゲーミング体験
ランダムパフォーマンスが40%以上向上したことで*1、PS5™およびDirectStorage対応のPCゲームでの高速ロードが可能となり*2、究極のゲーミング体験を実現します。
*1: Samsung 980 PROとの比較に基づきます。
*2: MicrosoftのDirectStorageテクノロジーは、最新のNVMe™ SSDの数GB/sの速度を活用することで、以前よりも高速にゲームをロードします。
Samsung Magicianソフトウェア
「Samsung Magicianソフトウェア」（日本語対応）はユーザーフレンドリーな最適化ツールとして、SSDの性能を最大限に引き出します。大切なデータを保護し、ドライブの状態を監視し、重要な更新を取得します。
バージョン7.2より「Data Migration」メニューが追加となり、Samsung SSDへのデータ移行（複製）ができるようになりました。
* メーカーWebサイトより無償でダウンロード可能
世界No.1のフラッシュメモリブランド
サムスンは、SSDの主要構成部品であるNANDフラッシュメモリ市場で、2003年以降、世界No.1の地位を維持*しているブランドです。
* 出典 : 2003〜1H.2022 OMDIAデータ：NANDサプライヤ売上金額シェア
困ったときは「サムスンSSDサポートセンター」があなたをしっかりサポート
サポートセンターによる電話対応、製品検査など万全のサポート体制を敷いています。
サムスンSSDサポートセンター 050-3116-3031
受付時間 09:00~17:00 月曜日~金曜日(祝・祭日を除く)
■製品仕様
| 製品 | Samsung SSD 990 PRO | |||
| 型番 | MZ-V9P1T0B-IT MZ-V9P1T0B-IT/EC |
MZ-V9P2T0B-IT MZ-V9P2T0B-IT/EC |
||
| 容量(*1) | 1TB (1,000GB) | 2TB (2,000GB) | ||
| インターフェース (転送速度・規格値) |
PCIe Gen 4.0 x4、NVMe™ 2.0 (*2) | |||
| フォームファクタ | M.2 (Type 2280) | |||
| 外形寸法(L×W×H) | 80 × 22 × 2.3 (mm) | |||
| 搭載デバイス | NANDフラッシュ | Samsung V-NAND TLC | ||
| コントローラ | Samsung自社製コントローラ | |||
| キャッシュメモリ | 1GB LPDDR4 | 2GB LPDDR4 | ||
|
パフォーマンス ※最大値 |
シーケンシャル | 読み出し | 7,450 MB/s | |
| 書き込み | 6,900 MB/s | |||
| ランダム (QD1 Thread1) |
読み出し | 22,000 IOPS | ||
| 書き込み | 80,000 IOPS | |||
| ランダム (QD32 Thread16) |
読み出し | 1,200,000 IOPS | 1,400,000 IOPS | |
| 書き込み | 1,550,000 IOPS | 1,550,000 IOPS | ||
| 消費電力(*5) | 待機時 | 50 mW | 55 mW | |
| 動作時 (平均) |
読み出し | 5.4 W | 5.8 W | |
| 書き込み | 5.0 W | 5.1 W | ||
| L1.2モード時 | 5 mW | |||
| 使用環境 | 温度範囲 | 動作時：0℃～70℃ 非動作時：-40℃～85℃ | ||
| 湿度範囲 | 5％～95％(結露なきこと) | |||
| 耐久性 | 耐衝撃性 | 非動作時：1,500G、0.5ms期間、3軸 | ||
| 耐振動性 | 非動作時：20～2,000Hz、20G | |||
| MTBF (平均故障間隔) |
150万時間 | |||
| 各種機能 | TRIMサポート | ○ ※OSが対応している場合 | ||
| ガベージコレクション | ○ | |||
| S.M.A.R.T (自己診断機能) |
○ | |||
| セキュリティ | AES 256 bitフルディスク暗号化 (FDE)、TCG/Opal V2.0、Encrypted Drive (IEEE1667) | |||
| 保証・サポート | TBW(*6) | 600TB | 1,200TB | |
| 保証期間 | 5年限定保証(*7) | |||
| 製品サポート | サムスンSSDサポートセンターによる電話、メールでのテクニカルサポート | |||
| 各種取得規格・法規制 | VCCI、RoHS指令準拠 (10物質)(*8) | |||
| ソフトウェア(*9) | Samsung Magicianソフトウェア (日本語対応) ※ダウンロード対応 |
|||
| 添付品 | インストールガイド＆保証情報 | |||
(*1) 1ギガバイト(GB) = 1,000,000,000バイト（IDEMA規定）。容量の一部がシステムファイルやメンテナンスに使用される可能性があるため、実際の容量は、製品ラベルの表示と異なる場合があります。
(*2) 本製品はPCIe 3.0と下位互換性があります。
(*3) パフォーマンスは、SSDのファームウェアバージョン、システムのハードウェア構成や環境設定などによって異なる場合があります。パフォーマンス測定値はIOmeter 1.1.0に基づいています。テストシステムの構成は次のとおりです。AMD Ryzen 7 5800X 8-Core Processor CPU@3.80GHz, DDR4 3600MHz 16GBx2, OS-Windows 10 Pro 64bit, Chipset-ASRock-X570-Taichi
(*4) シーケンシャルおよびランダム書き込みのパフォーマンス測定値はIntelligent TurboWrite（インテリジェントターボライト）テクノロジー有効時のものです。Intelligent TurboWrite（インテリジェントターボライト）は特定のデータ転送容量内でのみ動作します。詳細は各地域のサポートセンターにお問い合わせください。
(*5) 消費電力の測定値はIOmeter 1.1.0に基づいています。テストシステムの構成は次のとおりです。AMD Ryzen 7 5800X 8-Core Processor CPU@3.80GHz, DDR4 3600MHz 16GBx2, OS-Windows 10 Pro 64bit, Chipset-ASRock-X570-Taichi
(*6) すべての耐久試験結果はJESD218規格に準拠しております。規格の詳細については、www.jedec.orgをご覧ください。
(*7) 製品保証は、期間（5年間）もしくはTBW（Total Byte Written=総書き込みバイト数）しきい値に達するまでの、いずれか短い期間までとなります。保証の詳細については、製品同梱の保証情報をご確認ください。
(*8) 本製品のRoHS対応については、https://semiconductor.samsung.com/sustainability/environment/green-chip/in-compliance-with-international-environmental-regulations/をご覧ください。
(*9) 最新版へのアップデートが必要です。https://semiconductor.samsung.com/jp/consumer-storage/support/tools/をご覧ください。
■製品ラインアップ
| 製品 | 容量 | 型番 | 価格 |
| 990 PRO | 1TB | MZ-V9P1T0B-IT MZ-V9P1T0B-IT/EC |
オープンプライス |
| 990 PRO | 2TB | MZ-V9P2T0B-IT MZ-V9P2T0B-IT/EC |
オープンプライス |
- 本プレスリリースに掲載されている会社名および製品・サービス名などは、各社の登録商標または商標です。
PCI Express、PCIeは、PCI-SIGの商標です。
NVM Expressの図形標章、NVMeはNVM Express, Inc.の登録商標です。
“PS5”は、株式会社ソニー・インタラクティブエンタテインメントの商標または登録商標です。
- 本プレスリリースに掲載されている内容、サービスならびに製品の価格、仕様、お問い合わせ先、その他の情報は、発表時点の情報です。その後予告なしに変更となる場合があります。あらかじめご了承ください。